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SAINT AMPHILOQUE, EVEQUE D'ICONIUM EN RUSSEPOPOV I. V.BOGOSLOVSKIE TRUDY. 1972, Vol 9, pp 15-79Article

SAINT HILAIRE, EVEQUE DE POITIERSPOPOV I. V.BOGOSL. TRUDY. 1971, Vol 6, pp 117-150Article

Sur les premières écoles de physique en Russie En russePOPOV I. V.Voprosy Istorii Estestvoznanija i Tehniki. 1977, Num 56-57, pp 72-74Article

Saint Hilaire de Poitiers. Enseignement d'Hilaire dans ses oeuvres écrites durant son exil et après celui-ciPOPOV, I. V.Bogoslovskie Trudy, Moskva. 1970, Vol 5, pp 69-151Article

An approach to investigation of complex technological processes in food industryPOPOV, I. V.Fuzzy sets and systems. 1990, Vol 37, Num 3, pp 309-315, issn 0165-0114, 7 p.Article

Problèmes économiques liés à l'évolution des polygraphes dans les pays socialistesPOPOV, I. V; CVANOV, P. A.Itogi Nauki i Tehniki Leningrad. 1983, Vol 4, pp 3-33Article

Variété du courant de thermoinjection non classique dans les structures de carbure de silicium de type p-nANIKIN, M. M; EVSTROPOV, V. V; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 10, pp 1813-1818, issn 0015-3222Article

Variation thermique de la tension de disruption en avalanche des jonctions p-n en carbure de siliciumANIKIN, M. M; LEVINSHTEJN, M. E; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 9, pp 1574-1579, issn 0015-3222Article

Two-dimensional energy transfer and plasma formation under laser beam irradiation of a subcritical-density materialGUS'KOV, S. Yu; ZMITRENKO, N. V; POPOV, I. V et al.Quantum electronics (Woodbury). 2000, Vol 30, Num 7, pp 601-605, issn 1063-7818Article

Thermopolarization effects in poly(diethylsiloxane)VOISCHCHEV, V. S; POPOV, I. V; SAZHIN, B. I et al.Polymer science. Series A. 1999, Vol 41, Num 3, pp 311-314Article

Courant de thermo-injection non classique dans des structures p-n de carbure de siliciumANIKIN, M. M; EVSTROPOV, V. V; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 647-651, issn 0015-3222Article

Structures avec jonction p-n obtenue par implantation d'ions sur SiC-4H épitaxique, avec une caractéristique courant-tension en SANIKIN, M. M; LEBEDEV, A. A; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 9, pp 1654-1657, issn 0015-3222Article

Couches épitaxiques de carbure de silicium obtenues à partir d'un système solution-matériau fonduBRUTIN, V. F; DMITRIEV, V. A; EMEL'YANOVA, I. V et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1986, Vol 56, Num 1, pp 214-217, issn 0044-4642Article

Propriétés électrostatiques des structures de SiC-6H à jonction p-n abrupteANIKIN, M. M; LEBEDEV, A. A; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 1, pp 133-136, issn 0015-3222Article

Caractéristiques électriques des structures épitaxiques p+-n-n+ à base de polytype 6H du carbure de siliciumANIKIN, M. M; LEBEDEV, A. A; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 2, pp 298-300, issn 0015-3222Article

Etude des caractéristiques courant-tension des structures de diodes à base de carbure de siliciumANIKIN, M. M; LEBEDEV, A. A; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 5, pp 844-848, issn 0015-3222Article